Epistar的高壓LED芯片

     LED產(chǎn)商Epistar展示了他們關于能讓冷白色（5000k）LED達到162Lm/W的高電壓LED芯片的研究結果。  

     該芯片被描述為一個單片集成，直流多陣列的高電壓應用LED芯片。Epistar預計這個產(chǎn)品將成為普通照明的主流產(chǎn)品。 

     通過20mA的驅動電流和47V電壓達到162Lm/W的發(fā)光效率，相應的功耗為0.94W.在這些條件下，45-mil的芯片可以產(chǎn)生152Lm.  

     Epistar說HV-LED相對于傳統(tǒng)LED有著低電力需求和更高的插座效率，因為其強大的新高電壓芯片的設計。據(jù)公司稱，HV-LED對電壓和電流變化的靈活性可以簡化LED的包裝和電路設計，從而使整體效率提高。  

　　SMASH項目的進展  

　　SMASH項目公開發(fā)表了第二封信。SMASH的目標是通過建立破壞性的方式通過納米結構的材料制造LED，達到高效率和低成本的設備。這些目標會通過超低缺陷的納米結構模板組成的LED的外延生長和基于納米棒發(fā)射的LED結構的發(fā)展來完成。這些方法會對生產(chǎn)費用有很大的影響，因為它們允許大面積但是低成本的基板（比如說硅）的增長。  

　　最為關鍵的一個步驟是MOVPE的。這是由OsramOptoSemiconductor與布倫瑞克技術大學緊密合作而一起完成的。  

　　 SMASH的網(wǎng)站和信都包含了一份2010年International Workshopon Nitride Semiconductors （2010年9月19-24）的總結。  

　　Verticle展示了第一款六角形的LED芯片  

　　SemiconductorToday上的一篇文章提到：座落在美國加州都柏林的Verticle公司發(fā)表了他們稱作為第一款六角形的LED芯片。這種蜂窩型的LED芯片是豎向結構的，以InGaN為基礎的藍色LED芯片，它們是特別為高壓應用制造的。CEOMike（M.C.）說，和傳統(tǒng)的正方形或者長方形結構的LED芯片相比，一個六角形的芯片在各個方面比如成本，光輸出效率和束流剖面都會獲得收益。